Numéro de produit du fabricant:
MMBT5551
Product Overview
Fabricant:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MMBT5551-DG
Description:
HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3L
Inventaire:
56955 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13002092
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SOUMETTRE
MMBT5551 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Anbon Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
350 mW
Fréquence - Transition
100MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3L
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4530-MMBT5551DKR
4530-MMBT5551TR
4530-MMBT5551CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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