BS107PSTZ
Numéro de produit du fabricant:

BS107PSTZ

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BS107PSTZ-DG

Description:

MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Description détaillée:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Inventaire:

1991 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897444
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SOUMETTRE

BS107PSTZ Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
rds activé (max) @ id, vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
85 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
E-Line (TO-92 compatible)
Emballage / Caisse
E-Line-3
Numéro de produit de base
BS107

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
BS107PSTZ-DG
BS107PSTZDICT
BS107PSTZDITR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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