Numéro de produit du fabricant:
BS107PSTZ
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BS107PSTZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Description détaillée:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventaire:
1991 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897444
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
5vpv
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BS107PSTZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.6V, 5V
rds activé (max) @ id, vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
85 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
E-Line (TO-92 compatible)
Emballage / Caisse
E-Line-3
Numéro de produit de base
BS107
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
BS107PSTZ-DG
BS107PSTZDICT
BS107PSTZDITR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM040N03CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
TSM60N600CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO252
TSM170N06PQ56 RLG
MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
