DMG3N60SCT
Numéro de produit du fabricant:

DMG3N60SCT

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMG3N60SCT-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Inventaire:

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SOUMETTRE

DMG3N60SCT Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
354 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB (Type TH)
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMG3N60

Informations supplémentaires

Forfait standard
50

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STP4NK80Z
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP4NK80Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.76
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP3N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
841
NUMÉRO DE PIÈCE
STP3N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
0.59
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP4N80P-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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