Numéro de produit du fabricant:
DMG8N65SCT
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMG8N65SCT-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventaire:
12883489
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SOUMETTRE
DMG8N65SCT Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1217 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB (Type TH)
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
DMG8N65
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP7N80PM
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP7N80PM-DG
PRIX UNITAIRE
4.60
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP7N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
299
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP7N80P-DG
PRIX UNITAIRE
2.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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