Numéro de produit du fabricant:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMJ70H600SH3-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Description détaillée:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Inventaire:
12882196
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SOUMETTRE
DMJ70H600SH3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
643 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
113W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
DMJ70
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTU8N70X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
64
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTU8N70X2-DG
PRIX UNITAIRE
1.71
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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