Numéro de produit du fabricant:
DMN2005LP4K-7
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMN2005LP4K-7-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Description détaillée:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventaire:
30047 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12898972
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SOUMETTRE
DMN2005LP4K-7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 100µA
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
41 pF @ 3 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
400mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN2005
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN2005LP4KDITR
DMN2005LP4K7
DMN2005LP4KDIDKR
DMN2005LP4KDICT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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