DMN2450UFB4-7R
Numéro de produit du fabricant:

DMN2450UFB4-7R

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN2450UFB4-7R-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Description détaillée:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3

Inventaire:

8052 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12888139
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SOUMETTRE

DMN2450UFB4-7R Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
56 pF @ 16 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
X2-DFN1006-3
Emballage / Caisse
3-XFDFN
Numéro de produit de base
DMN2450

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
DMN2450UFB4-7R-DG
31-DMN2450UFB4-7RDKR
31-DMN2450UFB4-7RTR
31-DMN2450UFB4-7RCT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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