DMN3110SQ-7
Numéro de produit du fabricant:

DMN3110SQ-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMN3110SQ-7-DG

Description:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Description détaillée:
N-Channel 30 V 2.5A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

12979245
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMN3110SQ-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
73mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
305.8 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
740mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
DMN3110

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-DMN3110SQ-7DKR
31-DMN3110SQ-7TR
31-DMN3110SQ-7CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMTH84M1SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMNH6069SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH31M7LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

fairchild-semiconductor

FCP25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3