DMT6030LFDF-7
Numéro de produit du fabricant:

DMT6030LFDF-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

DMT6030LFDF-7-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 6.8A 6UDFN
Description détaillée:
N-Channel 60 V 6.8A (Ta) 860mW (Ta), 9.62W (Tc) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventaire:

12894825
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

DMT6030LFDF-7 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25.5mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
639 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
860mW (Ta), 9.62W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
U-DFN2020-6 (Type F)
Emballage / Caisse
6-UDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
DMT6030

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
DMT6030LFDF-7DI

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMP31D7LW-7

MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT323

taiwan-semiconductor

TSM60N900CP ROG

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252

diodes

DMTH6005LPSQ-13

MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060

diodes

DMP2035U-7

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23-3