Numéro de produit du fabricant:
DMT67M8LSS-13
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
DMT67M8LSS-13-DG
Description:
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Description détaillée:
N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12986971
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SOUMETTRE
DMT67M8LSS-13 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.6mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2130 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
31-DMT67M8LSS-13TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMG4496SSSQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
DMN2013UFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
BUK9Y7R0-60ELX
SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
