MMBT5551Q-7
Numéro de produit du fabricant:

MMBT5551Q-7

Product Overview

Fabricant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Numéro de pièce:

MMBT5551Q-7-DG

Description:

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

5820 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000400
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SOUMETTRE

MMBT5551Q-7 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600 mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
160 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
50nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Puissance - Max
300 mW
Fréquence - Transition
300MHz
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
31-MMBT5551Q-7TR
31-MMBT5551Q-7CT
31-MMBT5551Q-7DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certification DIGI
Produits Connexes
taiwan-semiconductor

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SOT-323, 50V, 0.1A, NPN BIPOLAR

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