Numéro de produit du fabricant:
ZVN3310ASTZ
Product Overview
Fabricant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ZVN3310ASTZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Inventaire:
12906218
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
ZVN3310ASTZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Diodes Incorporated
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
40 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
625mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
E-Line (TO-92 compatible)
Emballage / Caisse
E-Line-3
Numéro de produit de base
ZVN3310
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
31-ZVN3310ASTZDKR
31-ZVN3310ASTZDKR-DG
31-ZVN3310ASTZCT
31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE
ZVN3310ASTZ-DG
31-ZVN3310ASTZTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
ZXMP10A18GTA
MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
IRFR310TR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK