Numéro de produit du fabricant:
EPC2016
Product Overview
Fabricant:
EPC
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EPC2016-DG
Description:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
Description détaillée:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Inventaire:
12815126
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SOUMETTRE
EPC2016 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
EPC
Emballage
-
Série
eGaN®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)
+6V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
520 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Numéro de produit de base
EPC20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
EPC2016C
FABRICANT
EPC
QUANTITÉ DISPONIBLE
177045
NUMÉRO DE PIÈCE
EPC2016C-DG
PRIX UNITAIRE
1.07
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
