FCA22N60N
Numéro de produit du fabricant:

FCA22N60N

Product Overview

Fabricant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCA22N60N-DG

Description:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN

Inventaire:

545 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978481
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SOUMETTRE

FCA22N60N Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SupreMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
205W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
65
Autres noms
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

vishay-siliconix

IRFR010PBF-BE3

MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK

diodes

DMP510DLQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

diodes

DMTH8001STLW-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10