Numéro de produit du fabricant:
FCA22N60N
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCA22N60N-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Description détaillée:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventaire:
545 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978481
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SOUMETTRE
FCA22N60N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SupreMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
205W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3PN
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
65
Autres noms
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IAUC120N06S5N017ATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
IRFR010PBF-BE3
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
DMP510DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
