Numéro de produit du fabricant:
FDP100N10
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDP100N10-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Description détaillée:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
2970 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12947141
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SOUMETTRE
FDP100N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
159
Autres noms
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF6641TRPBF
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150