Numéro de produit du fabricant:
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1
Product Overview
Fabricant:
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
DiGi Electronics Numéro de pièce:
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1-DG
Description:
IC FRAM 4MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Description détaillée:
FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mbit SPI 50 MHz 8-DFN (5x6)
Inventaire:
12361544
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SOUMETTRE
MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1 Spécifications techniques
Catégorie
Mémoire, Mémoire
Fabricant
Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
DiGi-Electronics Programmable
Not Verified
Type de mémoire
Non-Volatile
Format de mémoire
FRAM
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille de la mémoire
4Mbit
Organisation de la mémoire
512K x 8
Interface mémoire
SPI
Fréquence d’horloge
50 MHz
Temps de cycle d’écriture - Word, Page
-
Tension - Alimentation
1.8V ~ 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-VDFN Exposed Pad
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (5x6)
Numéro de produit de base
MB85RS4
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1DKR
MB85RS4MTYPN-G-AWERE1
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1DKR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWERE1TR-DG
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1CT
865-MB85RS4MTYPN-G-AWEWE1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0071
Certification DIGI
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