Numéro de produit du fabricant:
IPB70N10S312ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB70N10S312ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventaire:
764 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800860
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SOUMETTRE
IPB70N10S312ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4355 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB70N10
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB70N10S312ATMA1TR
IPB70N10S3-12
IPB70N10S3-12INTR
SP000261246
IPB70N10S3-12INCT-DG
IPB70N10S312ATMA1CT
IPB70N10S312ATMA1DKR
IPB70N10S3-12INTR-DG
IPB70N10S312
IPB70N10S3-12INDKR-DG
IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INDKR
IPB70N10S3-12-DG
2156-IPB70N10S312ATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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