Numéro de produit du fabricant:
IPD85P04P407ATMA2
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPD85P04P407ATMA2-DG
Description:
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Description détaillée:
P-Channel 40 V 85A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventaire:
29235 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948681
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SOUMETTRE
IPD85P04P407ATMA2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS®-P2
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
85A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
7.3mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6085 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
88W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-313
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IPD85P04
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
448-IPD85P04P407ATMA2TR
448-IPD85P04P407ATMA2DKR
SP002325774
448-IPD85P04P407ATMA2CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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