Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPU60R1K4C6AKMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPU60R1K4C6AKMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12804889
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
X
z
J
k
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPU60R1K4C6AKMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™ C6
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
200 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
28.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPU60R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IPU60R1K4C6AKMA1-DG
Fiches techniques
IPU60R1K4C6AKMA1
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,500
Autres noms
2156-IPU60R1K4C6AKMA1
SP001292874
IFEINFIPU60R1K4C6AKMA1
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STU6N65M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
543
NUMÉRO DE PIÈCE
STU6N65M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.44
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP77N06S212AKSA2
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
IRFS3307PBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPL60R185CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
IRF2805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB