Numéro de produit du fabricant:
IRFIZ24NPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFIZ24NPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
Description détaillée:
N-Channel 55 V 14A (Tc) 29W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventaire:
1153 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818627
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SOUMETTRE
IRFIZ24NPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
HEXFET®
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
70mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
370 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
29W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB Full-Pak
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IRFIZ24
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2166-IRFIZ24NPBF-448
SP001556656
*IRFIZ24NPBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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