Numéro de produit du fabricant:
SPP08P06PHXKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPP08P06PHXKSA1-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Description détaillée:
P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
12855996
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SOUMETTRE
SPP08P06PHXKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
420 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP08P
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IFEINFSPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P H-DG
2156-SPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P G-DG
SP000446908
SPP08P06P H
SPP08P06P G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP10P6F6
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
555
NUMÉRO DE PIÈCE
STP10P6F6-DG
PRIX UNITAIRE
0.62
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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