Numéro de produit du fabricant:
IRF1010ZPBF
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF1010ZPBF-DG
Description:
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Description détaillée:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
350 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946961
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SOUMETTRE
IRF1010ZPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2840 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
140W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
320
Autres noms
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
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