Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXFN230N10
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN230N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 100 V 230A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12821159
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXFN230N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
230A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
19000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN230
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IXFN230N10-DG
Fiches techniques
IXFN230N10
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN360N10T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN360N10T-DG
PRIX UNITAIRE
16.71
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTH13N80
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
IXTA64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
IXTH30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
IXFT60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO268