IXFN300N10P
Numéro de produit du fabricant:

IXFN300N10P

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFN300N10P-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
Description détaillée:
N-Channel 100 V 295A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventaire:

12821236
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IXFN300N10P Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
295A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
279 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
23000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1070W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN300

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
10

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
littelfuse

IXTA180N055T

MOSFET N-CH 55V 180A TO263

littelfuse

IXTQ280N055T

MOSFET N-CH 55V 280A TO3P

littelfuse

IXTP2N60P

MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB

littelfuse

IXTK33N50

MOSFET N-CH 500V 33A TO264