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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXTA4N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTA4N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Description détaillée:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
35 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12907603
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SOUMETTRE
IXTA4N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
455 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXTA4
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
650V Ultra Junction X2-Class POWER MOSFETs
Building, Home Automation Appl Guide
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007KNJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
17
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007KNJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.74
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007ENJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2
NUMÉRO DE PIÈCE
R6007ENJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.74
TYPE DE SUBSTITUT
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