Numéro de produit du fabricant:
IXTH32P20T
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTH32P20T-DG
Description:
MOSFET P-CH 200V 32A TO247
Description détaillée:
P-Channel 200 V 32A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventaire:
12819137
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SOUMETTRE
IXTH32P20T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
TrenchP™
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
130mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXTH32
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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