Numéro de produit du fabricant:
IXTQ18N60P
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTQ18N60P-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Description détaillée:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaire:
12821417
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXTQ18N60P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Polar
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base
IXTQ18
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
365
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60F-DG
PRIX UNITAIRE
7.37
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
IXTP8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXFH13N90
MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
