2N7002/HAMR
Numéro de produit du fabricant:

2N7002/HAMR

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

2N7002/HAMR-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 300mA (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

Inventaire:

52769 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12826139
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

2N7002/HAMR Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
50 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
830mW (Tc)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-236AB
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2N7002

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
1727-8645-1
934660832215
1727-8645-2
2156-2N7002/HAMRTR
5202-2N7002/HAMRTR
1727-8645-6

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
nexperia

2N7002BKVL

MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB

infineon-technologies

BSS205NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3

micro-commercial-components

MCU80N06-TP

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

infineon-technologies

AUIRFR4620

MOSFET N-CH 200V 24A DPAK