PEMB3,115
Numéro de produit du fabricant:

PEMB3,115

Product Overview

Fabricant:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

PEMB3,115-DG

Description:

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Description détaillée:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

Inventaire:

12829110
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SOUMETTRE

PEMB3,115 Spécifications techniques

Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de transistors bipolaires, pré-biaisés
Fabricant
Nexperia
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Not For New Designs
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
100mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Résistance - Base (R1)
4.7kOhms
Résistance - Base de l’émetteur (R2)
-
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (max.)
1µA
Fréquence - Transition
-
Puissance - Max
300mW
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-666
Numéro de produit de base
PEMB3

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
PEMB3 T/R
5202-PEMB3,115TR
PEMB3 T/R-DG
934056867115

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
NSBA143TDXV6T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
NSBA143TDXV6T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2910FE,LF(CT
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
NUMÉRO DE PIÈCE
RN2910FE,LF(CT-DG
PRIX UNITAIRE
0.02
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
EMB3T2R
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
14561
NUMÉRO DE PIÈCE
EMB3T2R-DG
PRIX UNITAIRE
0.05
TYPE DE SUBSTITUT
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