Numéro de produit du fabricant:
NTE2018
Product Overview
Fabricant:
NTE Electronics, Inc
DiGi Electronics Numéro de pièce:
NTE2018-DG
Description:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventaire:
22 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12950372
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SOUMETTRE
NTE2018 Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Réseaux de Transistors Bipolaires
Fabricant
Emballage
Bag
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
8 NPN Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
600mA
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
-
Puissance - Max
1W
Fréquence - Transition
-
Température de fonctionnement
-20°C ~ 85°C (TA)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Ensemble d’appareils du fournisseur
18-PDIP
Numéro de produit de base
NTE20
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
2368-NTE2018
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
Certification DIGI
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