Numéro de produit du fabricant:
2N7000G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7000G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventaire:
12834682
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SOUMETTRE
2N7000G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
60 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-92 (TO-226)
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Numéro de produit de base
2N7000
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2N7000GOS
2N7000G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000BU
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
38857
NUMÉRO DE PIÈCE
2N7000BU-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
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0
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2N7000-DG
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0.03
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
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