Numéro de produit du fabricant:
2N7002ET1G
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2N7002ET1G-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 60 V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventaire:
528264 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12834485
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SOUMETTRE
2N7002ET1G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.81 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
26.7 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300mW (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
2N7002
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
2N7002ET1G-DG
2N7002ET1GOSDKR
2N7002ET1GOSCT
2832-2N7002ET1G
2156-2N7002ET1G
2N7002ET1GOSTR
ONSONS2N7002ET1G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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