Numéro de produit du fabricant:
2SB817C-1E
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SB817C-1E-DG
Description:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventaire:
12837070
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SOUMETTRE
2SB817C-1E Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
12 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
140 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100µA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 1A, 5V
Puissance - Max
120 W
Fréquence - Transition
10MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-3P-3, SC-65-3
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-3P-3L
Numéro de produit de base
2SB817
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FJA4210OTU
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
392
NUMÉRO DE PIÈCE
FJA4210OTU-DG
PRIX UNITAIRE
1.81
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1386
FABRICANT
Sanken Electric USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
2SA1386-DG
PRIX UNITAIRE
2.19
TYPE DE SUBSTITUT
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