Numéro de produit du fabricant:
2SB927T-AE
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SB927T-AE-DG
Description:
2SB927 - PNP EPITAXIAL PLANAR SI
Description détaillée:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 2.5 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventaire:
8000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12974036
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Quantité
Minimum 1
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3tUA
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SOUMETTRE
2SB927T-AE Spécifications techniques
Catégorie
Bipolaire (BJT), Transistors bipolaires simples
Fabricant
onsemi
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
Transistor Type
PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
2.5 A
Tension - Bris de l’émetteur collecteur (max)
25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 75mA, 1.5A
Courant - Coupure du collecteur (max.)
100nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (min) @ ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Puissance - Max
1 W
Fréquence - Transition
150MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Through Hole
Emballage / Caisse
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Ensemble d’appareils du fournisseur
3-MP
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,664
Autres noms
2156-2SB927T-AE-488
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Vendor Undefined
Statut REACH
REACH Unaffected
Certification DIGI
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