Numéro de produit du fabricant:
2SJ656
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
2SJ656-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Description détaillée:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
Inventaire:
12836930
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
2SJ656 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4200 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220ML
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
2SJ656
Fiche technique & Documents
Informations supplémentaires
Forfait standard
100
Autres noms
869-1053
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP18P10T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
2485
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP18P10T-DG
PRIX UNITAIRE
1.06
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
HUF75309P3
MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
