Numéro de produit du fabricant:
EFC6601R-TR
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
EFC6601R-TR-DG
Description:
MOSFET 2N-CH EFCP2718
Description détaillée:
Mosfet Array 2W Surface Mount EFCP2718-6CE-020
Inventaire:
12838846
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SOUMETTRE
EFC6601R-TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tension de vidange à la source (Vdss)
-
Courant - drain continu (id) @ 25°C
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
-
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
6-XFBGA, FCBGA
Ensemble d’appareils du fournisseur
EFCP2718-6CE-020
Numéro de produit de base
EFC6601
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
EFC6601R-TROSCT
2156-EFC6601R-TR-OS
ONSONSEFC6601R-TR
EFC6601R-TR-DG
EFC6601R-TROSDKR
EFC6601R-TROSTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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