FCH104N60F
Numéro de produit du fabricant:

FCH104N60F

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FCH104N60F-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventaire:

450 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848040
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SOUMETTRE

FCH104N60F Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH104

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
30

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
2055
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G-DG
PRIX UNITAIRE
4.18
TYPE DE SUBSTITUT
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R6046FNZ1C9
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
278
NUMÉRO DE PIÈCE
R6046FNZ1C9-DG
PRIX UNITAIRE
7.52
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
228
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
4.37
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
6.11
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FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
240
NUMÉRO DE PIÈCE
IPW60R075CPFKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
6.48
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