Numéro de produit du fabricant:
FCH104N60F
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCH104N60F-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
450 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848040
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SOUMETTRE
FCH104N60F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5950 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH104
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
2055
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NB099PW C1G-DG
PRIX UNITAIRE
4.18
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