Numéro de produit du fabricant:
FCP104N60F
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP104N60F-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
794 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12930601
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SOUMETTRE
FCP104N60F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Polar™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6130 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
357W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP104
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FCP104N60FOS
FCP104N60F-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R125P6XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R125P6XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.16
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PRIX UNITAIRE
2.69
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PRIX UNITAIRE
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