Numéro de produit du fabricant:
FCP11N60F
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCP11N60F-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
996 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12851177
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SOUMETTRE
FCP11N60F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1490 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
FCP11
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
FCP11N60F-DG
FCP11N60FFS
1990-FCP11N60F
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP15N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
16573
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHP15N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
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PRIX UNITAIRE
2.28
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