Numéro de produit du fabricant:
FCPF2250N80Z
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCPF2250N80Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Description détaillée:
N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 21.9W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventaire:
12848773
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SOUMETTRE
FCPF2250N80Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
SuperFET® II
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
585 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
21.9W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220F-3
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
FCPF2250
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2832-FCPF2250N80Z
2832-FCPF2250N80Z-488
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R8003KNXC7G
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
477
NUMÉRO DE PIÈCE
R8003KNXC7G-DG
PRIX UNITAIRE
0.99
TYPE DE SUBSTITUT
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