Numéro de produit du fabricant:
FDB1D7N10CL7
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDB1D7N10CL7-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventaire:
12838601
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SOUMETTRE
FDB1D7N10CL7 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
268A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 15V
rds activé (max) @ id, vgs
1.65mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 700µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
FDB1D7
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
FDB1D7N10CL7-DG
488-FDB1D7N10CL7TR
488-FDB1D7N10CL7CT
488-FDB1D7N10CL7DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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