Numéro de produit du fabricant:
FDC855N
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDC855N-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
Description détaillée:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventaire:
6369 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12846737
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SOUMETTRE
FDC855N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
27mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
655 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.6W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SuperSOT™-6
Emballage / Caisse
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numéro de produit de base
FDC855
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDC855NTR
2832-FDC855N
FDC855NCT
FDC855NDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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