Numéro de produit du fabricant:
FDD3670
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD3670-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Description détaillée:
N-Channel 100 V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
2496 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12848304
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SOUMETTRE
FDD3670 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
34A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2490 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD367
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD3670-DG
FDD3670CT
FDD3670TR
FDD3670DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD25NF10LT4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4741
NUMÉRO DE PIÈCE
STD25NF10LT4-DG
PRIX UNITAIRE
0.84
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