Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
DR Congo
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
DR Congo
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
FDD86110
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDD86110-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaire:
335 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839079
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
FDD86110 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12.5A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
10.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2265 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.1W (Ta), 127W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
FDD861
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
FDD86110-DG
Fiches techniques
FDD86110
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
FDD86110CT
FDD86110TR
FDD86110-DG
ONSONSFDD86110
2156-FDD86110-OS
FDD86110DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK33S10N1Z,LQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
1940
NUMÉRO DE PIÈCE
TK33S10N1Z,LQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.59
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STD100N10F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
5739
NUMÉRO DE PIÈCE
STD100N10F7-DG
PRIX UNITAIRE
1.10
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
BSB028N06NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC