FDFM2P110
Numéro de produit du fabricant:

FDFM2P110

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDFM2P110-DG

Description:

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
Description détaillée:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm

Inventaire:

12849359
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SOUMETTRE

FDFM2P110 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
280 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MicroFET 3x3mm
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Numéro de produit de base
FDFM2P

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDFM2P110-DG
2832-FDFM2P110-488
FDFM2P110TR
FDFM2P110CT
2832-FDFM2P110TR
FDFM2P110DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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