FDI8442
Numéro de produit du fabricant:

FDI8442

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDI8442-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventaire:

12837404
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SOUMETTRE

FDI8442 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
254W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262 (I2PAK)
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
FDI8442

Informations supplémentaires

Forfait standard
400

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1404ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3513
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF1404ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.70
TYPE DE SUBSTITUT
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