FDL100N50F
Numéro de produit du fabricant:

FDL100N50F

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDL100N50F-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 100A TO264-3
Description détaillée:
N-Channel 500 V 100A (Tc) 2500W (Tc) Through Hole TO-264-3

Inventaire:

111 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12839517
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SOUMETTRE

FDL100N50F Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tube
Série
UniFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
55mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
238 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-264-3
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
FDL100

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
25

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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