FDM3622
Numéro de produit du fabricant:

FDM3622

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDM3622-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventaire:

3580 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847987
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SOUMETTRE

FDM3622 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
60mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1090 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDM362

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDM3622DKR
FDM3622-DG
FDM3622TR
FDM3622CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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