Numéro de produit du fabricant:
FDMC8296
Product Overview
Fabricant:
onsemi
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FDMC8296-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A/18A 8MLP
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Inventaire:
12846809
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SOUMETTRE
FDMC8296 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
-
Série
PowerTrench®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1385 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.3W (Ta), 27W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDMC82
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMC8296TR
FDMC8296CT
FDMC8296DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ088N03LSGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7680
NUMÉRO DE PIÈCE
BSZ088N03LSGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.26
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PRIX UNITAIRE
0.35
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PRIX UNITAIRE
0.32
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PRIX UNITAIRE
0.15
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