FDMC8622
Numéro de produit du fabricant:

FDMC8622

Product Overview

Fabricant:

onsemi

DiGi Electronics Numéro de pièce:

FDMC8622-DG

Description:

MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Description détaillée:
N-Channel 100 V 4A (Ta), 16A (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Inventaire:

22652 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12850593
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

FDMC8622 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
onsemi
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
PowerTrench®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Ta), 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
402 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-MLP (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
FDMC86

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
FDMC8622DKR
FDMC8622-DG
FDMC8622CT
FDMC8622TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

FDU3706

MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK

rohm-semi

R6006JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252

onsemi

FDN361BN

MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3

rohm-semi

R6006KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 6A TO252